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SiR878DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
10
64
48
32
16
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
V GS = 3 V
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.035
0.028
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2200
1760
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.021
V GS = 4.5 V
1320
C iss
0.014
V GS = 7.5 V
880
0.007
0.000
V GS = 10 V
440
0
C rss
C oss
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 15 A
8
6
4
2
0
V DS = 25 V
V DS = 50 V
V DS = 75 V
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65939
S10-2685-Rev. B, 22-Nov-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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